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            PW光效優?深紫外UVB UVC WAFER外延片晶片

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            曹容榕
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            • 經營模式|貿易商
            • 注冊資本|60萬人民幣
            • 企業類型|企業單位(貿易商)
            • 主營產品|紫外UVALED,UVCLED, UVCHIP,UVB芯片,韓國PW芯片,UVACHIP,wafer晶圓,外延片, AIN, TES MOCVD,AlGaN, 外延爐,第三 代半導體,LD激光二極管等
            • 公司地區|廣東/深圳市
            • 公司榮譽|
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            品牌PW 有效期至長期有效 最后更新2021-05-27 16:00
            波長265-310nm 規格2&4INCH XRD<=450
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            PW光效優?深紫外UVB UVC WAFER外延片晶片

            PW光效優深紫外UVB UVC WAFER外延片晶片




            晶圓(Wafer)制程工藝學習
            晶圓(Wafer)的生產由砂即(二氧化硅)開始,經由電弧爐的提煉還原成冶煉級的硅,再經由鹽酸氯化,產生三氯化硅,經蒸餾純化后,透過慢速分解過程,制成棒狀或粒狀的「多晶硅」。一般晶圓制造廠,將多晶硅融解后,再利用硅晶種慢慢拉出單晶硅晶棒。一支85公分長,重76.6 公斤的8時硅晶棒,約需2天半時間長成。經研磨、拋光、切片后,即成半導體之原料品圓片。
            光學顯影
            光學顯影是在光阻上經過曝光和顯影的程序,把光罩上的圖形轉換到光阻下面的薄膜層或硅品上。光學顯影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩對準、曝光和顯影等程序。小尺寸之顯像分辨率,更在IC制程的進步上,扮演著最關鍵的角色。由于光學上的需要,此段制程之照明采用偏黃色的可見光。因此俗稱此區為黃光區。
            干式蝕刻技術
            在半導體的制程中,蝕刻被用來將某種材質自晶圓表面上移除。干式蝕刻(又稱為電漿蝕刻)是目前最常用的蝕刻方式,其以氣體作為主要的蝕刻媒介,并藉由電漿能量來驅動反應。
            電漿對蝕刻制程有物理性與化學性兩方面的影響。首先,電漿會將蝕刻氣體分子分解,產生能夠快速蝕去材料的高活性分子。此外,電漿也會把這些化學成份離子化,使其帶有電荷。
            晶圓系置于帶負電的陰極之上,因此當帶正電荷的離子被陰極吸引并加速向陰極方向前進時,會以垂直角度撞擊到晶圓表面。芯片制造商即是運用此特性來獲得絕佳的垂直蝕刻,而后者也是干式蝕刻的重要角色。
            基本上,隨著所欲去除的材質與所使用的蝕刻化學物質之不同,蝕刻由下列兩種模式單獨或混會進行:
            1.電漿內部所產生的活性反應離子與自由基在撞擊晶圓表面后,將與某特定成份之表面材質起化學反應而使之氣化。如此即可將表面材質移出晶圓表面,并透過抽氣動作將其排出。
            2.電漿離子可因加速而具有足夠的動能來扯斷薄膜的化學鍵,進而將晶圓表面材質分子一個個的打擊或濺擊( sputtering)出來。

            供應商信息

            深圳市隆興達科技有限公司成立于2012年,是大中華地區份額的光電產品代理商,誠信,共贏,一直是公司的he心價值觀,本地4化經營,國際化發展,結合自身的企業文化,高端技術與訊息交匯的平臺優勢,持續優化高端營銷與后勤支持團隊,扮演產業供應鏈專業合作伙伴,以高品質的產品,優質的性價比,竭誠的服務態度,贏得廠商的

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            公司名 深圳市隆興達科技有限公司 經營模式貿易商
            注冊資本60萬人民幣 公司注冊時間2012
            公司所在地廣東/深圳市 企業類型企業單位 (貿易商)
            保 證 金已繳納 0.00
            主營行業電子網 / 電子器件 / 二極管  , 
            主營產品或服務紫外UVALED,UVCLED, UVCHIP,UVB芯片,韓國PW芯片,UVACHIP,wafer晶圓,外延片, AIN, TES MOCVD,AlGaN, 外延爐,第三 代半導體,LD激光二極管等
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